Termenul in engleza: four-layer device, four-layered device

Dispozitiv semiconductor cu patru straturi alternative de tip p si n, avand trei jonctiuni pn. Intre primele doua straturi si intre ultimele doua straturi exista cate o jonctiune pn polarizata direct, iar intre cele doua straturi intermediare – o jonctiune pn polarizata invers. Aceasta impiedica trecerea curentului atata timp cat nu are loc fenomenul de avalansa. Astfel de dispozitive sunt dioda Shockley, tiristorul etc.