Termenul in engleza: Schottky diode

Dioda cu jonctiune metal-semiconductor formata dintr-un strat epitaxial de siliciu de tip n– depus pe un substrat de siliciu n+ si acoperit la randul sau cu un strat de crom sau de aliaj platina-nichel. Conductia este asigurata de electronii din stratul metalic. Acestia fiind negativi, constituie purtatorii majoritari in semiconductorul n– in care patrund, si astfel conductia prin dioda se face prin purtatorii majoritari. Numarul purtatorilor minoritari din apropierea jonctiunii fiind neglijabil, timpul de restabilire al diodei este foarte scurt, ceea ce permite functionarea sa la frecvente foarte mari.