Schema conţine un etaj repetor pe sursă cu un FET – T1 (original KΠ303A, înlocuibil cu BFW10, BFW11, BFW12, BF245 etc.), care este folosit exclusiv la recepţie. Urmează un preamplificator AF cu trei etaje “cuplate galvanic, T2 – T4 (KT301Д , respectiv tranzistoare selecţionate ca zgomot şi amplificare din seria BC), şi un etaj final in contratimp cu simetria cvasicomplementară realizat cu tranzistoarele T5-T8 (T5, T8 = MΠ38A, respectiv T6, T7 = MΠ42A; se pot folosi echivalentele româneşti cu germaniu din seria AC, respectiv T5, T8 = AC181 şi T6, T7 = AC180, cu o prealabilă împerechere aproximativă după factorul beta).
LED-ul IR utilizat atît la emisie cat şi la recepţie (01) este de tip A 107Б. Pentru alte tipuri se va ţine cont, în esenţă, de valoarea cu rentului maxim direct (implicit se va retuşa corespunzător valoarea rezistenţei R11).
Trecerea de la emisie la recepţie şi invers se face cu ajutorul comutatorului K1 cu trei secţiuni (K11, K12şi K13. După cum se observă din schemă, difuzorul (poate fi de orice tip, 4-8 Ω/0,5-3 W) este utilizat la emisie ca microfon, cu eventuale ajustări ale valorii rezistenţei R5, iar la recepţie ca difuzor, cuplat prin condensatorul C4 la ieşirea amplificatorului final.
Pentru a funcţiona bine la tensiunea indicată de alimentare (3 V, respectiv două baterii de 1,5 V, tip R20, inseriate), amplificatorul final a fost realizat cu tranzistoare cu germaniu.
Curentul de repaus se alege în funcţie de tipul LED-ului IR utilizat, după cum am menţionat anterior. Pentru A 107Б, care are un curent maxim direct de. 100 mA, se va alege un curent de repaus de cca 50 mA. Tensiunea În punctul median de ieşire (în colectoarele lui T7- T8) trebuie să fie cît mai apropiată de jumătatea tensiunii de alimentare.
Autorul articolului menţionat a utilizat la emisie şi la recepţie lentile cu diametrul de 70 mm şi distanţa focală de 85 mm, provenite de la condeatoarele aparatelor de mărit foto. In aceste condiţii, el a putut efectua comunicaţii bilaterale pînă la distanţa de 1,5 km.
O altă variantă pe care o propunem alăturat (fig. 8) a fost experimentată plecînd de la ideea folosirii tranzistoarelor cu. siliciu în etajul final.
Aceasta a impus creşterea tensiunii de alimentare, alegandu-se practic valoarea nominală de 9 V (două baterii 3R12, de 4,5 V, legate În serie). Dispunand de o tensiune mai mare, am preferat o altă configuraţie a preamplificatorului AF, anume un etaj cu tranzistorul T2 şi un etaj cu amplificatorul operaţional βA741. Deşi mai complicat ca număr de piese şi mai pretenţios in privinţa decuplărilor (din cauza cîştigului global foarte mare in tensiune), acest preamplificator este mai uşor de controlat, dispunînd de multiple posibilităţi de adaptare la nivelurile de semnal de la intrare şi de la ieşire.
Polarizarea statică a lui T2 (cca 4,5_ V in colector, fără semnal in bază) se stabileşte prin alegerea rezistenţei Ra, iar caştigul în tensiune al acestui etaj este controlabil prin alegerea lui R7. La rândul său, operaţionalul poate fi adus la câştigul dorit prin alegerea adecvată a lui R13.
Tatonări experimentale in scopul îmbunătăţirii performanţelor (şi in special al adaptării optime la piesele disponibile) se pot face pe tot cuprinsul schemei, Începînd cu valorile R1 şi R3 care dictează regimul de lucru la recepţie. Important este să se lucreze ingrijit şi în final mai bine zis înainte de proba funcţională, să se ecraneze montajul şi să se conecteze minusul alimentării la ecran (cutie de tablă).
Articol publicat in revista Tehnium, Nr.10 din 1987
Articole din aceasi publicatie
