Circuit integrat monolitic a carui realizare se afla intr-un stadiu experimental. In principiu consta din mai multe straturi suprapuse de siliciu cristalin, izolate intre ele cu bioxid de siliciu (amorf), in fiecare strat fiind realizat un circuit integrat pe scara foarte larga. Va permite o densitate de integrare de pana la zece milioane de tranzistoare pe cip.