Articole electronica, kituri, scheme
Carti

Dispozitive semiconductoare

In stadiul actual, exista un imens numar de tipuri de diode semiconductoare si tranzistoare, fiecare denumite de producator in felul sau. Ne vom referi doar la cele fabricate de I.P.R.S. Baneasa care sint echivalente cu cele mai multe tipuri de pe piata mondiala.

Dispozitivele conductoare, diodele si tranzistoarele au la baza lor constructiva doua elemente, germaniul si siliciul, care sint cristale cu proprietati interesante.

Spre deosebire de metale, cristalele pure de germaniu si siliciu prezinta o rezistivitate mare in raport cu materialele bune conducatoare de electricitate, dar mica in raport cu materialele rele conducatoare de electricitate, situindu-se intre cea a metalelor si cea a dielectricilor. Daca insa in structura lor se introduc anumite impuritati (stibiu sau arse- niu) rezistivitatea lor scade, devenind comparabila cu a metalelor si apar electroni liberi. Acest semiconductor cu impuritati a fost denumit semiconductor de tip n.

Daca in locul stibiului sau arseniului se introduce ca impuritate iridiul; in corpul semiconductorului apar “goluri”, adica o lipsa de electroni si acesta devine semiconductor de tip p.

Dioda semiconductoare este o jonctiune pn constituita din doua semiconductoare, unul de tip p si altul de tip n. Trebuie mentionat ca jonctiunea este formata in interiorul unui cristal continuu si nu prin alipirea a doua elemente pn. Daca pe acest dispozitiv se aplica o tensiune avind polaritatea “+” spre zona p si “-”spre zona n, prin jonctiune va circula curentul electric.

Daca se polarizeaza invers, jonctiunea pn va prezenta o rezistenta foarte mare.

Diodele cu germaniu functioneaza normal pina la temperatura de 50 – 600C. Peste I000C se utilizeaza diode cu siliciu. Diodele semiconductoare se impart. In punctiforme si aliate (cu jonctiune), ultimele avind parametri mai buni decit cele punctiforme.

Simbolul unei diode semiconductoare impreuna cu structura sa schematica, sint reprezentate in figura 30a.

La alegerea unei diode, trebuie sa se tina seama de valorile limita de utilizare curentul maxim (Imax) si tensiunea inversa maxima (Uinv max) peste care dioda se distruge.

Diodele fabricate in tara noastra au indicative EFD (cu contacte punctiforme – detectoare) si EFR (cu jonctiuni, utilizate la redresarea curentului).

Tipurile de diode semiconductoare sint urmatoarele diode redresoare, diode stabilizatoare (Zener), diode eu contact punctiform, diode varicap (varactor), diode de comutatie, diode tunel, fotodiode, diode fotoluminiscente sau electroiuxiuniaceate (LED).

Dispozitive semiconductoare 1

Tranzistoarele bipolare reprezinta clasa cea mai larg folosita de dispozitive semiconductoare deoarece permit constructia unor montaje care poseda proprietatea de amplificare a semnalelor.

Exista doua tipuri fundamentale de tranzistoare cu jonctiuni unipolare, bazate numai pe un tip de purtatori ele sarcina si anume goluri sau electroni si bipolare bazate pe comrfuctia simultana de goluri cit si pe conductia eie electroni.

Functionarea tranzistoarelor bipolare se bazeaza pe proprietatea jonctiunii pn de a injecta sau de a colecta purtatori de sarcina. Tranzistoarele bipolare poseda doua jonctiuni (fig. 30, b) cu exceptia tranzistoarelor unijonctiune.

Ansamblul format din cele trei regiuni pnp sau npn reprezinta in esenta doua diode semiconductoare, care poseda o regiune comuna, baza. Efectul “tranzistor” consta in faptul ca electronii injectati de croitor ta baza ajung in cea mai mare parte la colector, deci se efectueaza, un transfer de purtatori de sarcina de la o jonctiune la alta (fig. 30,b).

Prin noul tip de tehnologie de fabricatie a t ranzistoarelor denumit “crestere epitaxiala” s-a realizat o gama foarte variata de tranzistoare pentru diverse utilizari tranzistoare la care se pot aplica pe colectori curenti de ordinul zecilor de amperi, cu tensiuni maxime colector-emitor de ordinul sutelor de volti, cu puteri maxime de ordinul sutelor de wati, cu frecventa de functionare de ordinul gigahertiloi si cu timpi de comutatie de ordinul zecilor de nanosccunde.

Dintre noile tipuri de tranzistoare construite se mentioneaza tranzistoare unijonctiune (TUJ), tranzistoare cu efect de cimp (FET), tranzistoare cu efect de cimp (MOS), tranzistoare cu trei jonctiuni (pnpn) etc.

Toate semiconductoarele, diodele si tranzistoarele, se impart in doua mari grupe. Din prima grupa, fac parte diodele si tranzistoarele care se folosesc in radioreceptoare, televizoare, amplificatoare si magnetofoane. Aceasta giupa se noteaza cu doua litere si trei cifre (de exemplu AC 180, BF 182), pentru tranzistoarele de uz curent.

A doua grupa cuprinde tranzistoarele cu destinatie speciala si se noteaza cu trei litere si doua cifre (de exemplu ADY 27, SFT 307).

Deoarece exista pe piata mondiala, la ora actuala, mii de tipuri de dispozitive semiconductoare, produse in diferite, tari, cu performante, forme constructive si norme de utilizare dintre cele mai diverse, standardizarea si tipizarea lor se gaseste intr-un stadiu de inceput. Cataloagele de diode si tranzistoare, oricit ar dori sa fie in curent cu tot ce se produce si sa dea echivalentele tuturor acestor dispozitive, nu pot tine pasul.

Acesta este un impediment serios mai ales pentru radioamatorii care experimenteaza, construiesc sau repara aparate electronice cu tranzistoare. Pentru a veni in sprijinul lor se da in tabelul III, codul de notare al dispozitivelor semi-conductoare in standardul european precum si notatiile semiconductoarelor produse de I.P.R.S. Baneasa, asa-cum sint prezentate in catalogul fabricii.


Articole din aceasi publicatie
Subscribe
Notify of
guest

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.

0 Comments
Inline Feedbacks
View all comments
back to top